IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ مصنوعات کی تفصیل
| مصنوعات کی خصوصیت | انتساب کی قدر |
| مینوفیکچرر: | انفینون |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| RoHS: | تفصیلات |
| ٹیکنالوجی: | Si |
| بڑھتے ہوئے انداز: | SMD/SMT |
| پیکیج/کیس: | TO-252-3 |
| ٹرانسسٹر پولرٹی: | این چینل |
| چینلز کی تعداد: | 1 چینل |
| Vds - ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج: | 40 وی |
| ID - مسلسل ڈرین کرنٹ: | 50 اے |
| آر ڈی ایس آن - ڈرین سورس ریزسٹنس: | 9.3 mOhms |
| Vgs - گیٹ سورس وولٹیج: | - 20 وی، + 20 وی |
| Vgs th - گیٹ سورس تھریشولڈ وولٹیج: | 3 وی |
| Qg - گیٹ چارج: | 18.2 nC |
| کم از کم آپریٹنگ درجہ حرارت: | - 55 سی |
| زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت: | + 175 سی |
| Pd - بجلی کی کھپت: | 41 ڈبلیو |
| چینل موڈ: | اضافہ |
| اہلیت: | AEC-Q101 |
| تجارتی نام: | OptiMOS |
| پیکجنگ: | ریل |
| پیکجنگ: | ٹیپ کاٹ دیں۔ |
| برانڈ: | انفائنون ٹیکنالوجیز |
| ترتیب: | سنگل |
| گرنے کا وقت: | 5 این ایس |
| اونچائی: | 2.3 ملی میٹر |
| لمبائی: | 6.5 ملی میٹر |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| طلوع وقت: | 7 این ایس |
| سلسلہ: | OptiMOS-T2 |
| فیکٹری پیک مقدار: | 2500 |
| ذیلی زمرہ: | MOSFETs |
| ٹرانزسٹر کی قسم: | 1 این چینل |
| عام ٹرن آف تاخیر کا وقت: | 4 این ایس |
| عام ٹرن آن تاخیر کا وقت: | 5 این ایس |
| چوڑائی: | 6.22 ملی میٹر |
| حصہ # عرفی نام: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| یونٹ وزن: | 330 ملی گرام |
N-چینل – اضافہ موڈ
• AEC اہل
MSL1 260°C چوٹی ری فلو تک
• 175 ° C آپریٹنگ درجہ حرارت
• گرین پروڈکٹ (RoHS کے مطابق)
• 100% برفانی تودے کا تجربہ کیا گیا۔
