NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2.0A
♠ مصنوعات کی تفصیل
| مصنوعات کی خصوصیت | انتساب کی قدر |
| مینوفیکچرر: | اونسیمی |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| RoHS: | تفصیلات |
| ٹیکنالوجی: | Si |
| بڑھتے ہوئے انداز: | SMD/SMT |
| پیکیج / کیس: | SOT-223-3 |
| ٹرانسسٹر پولرٹی: | این چینل |
| چینلز کی تعداد: | 1 چینل |
| Vds - ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج: | 42 وی |
| ID - مسلسل ڈرین کرنٹ: | 2 اے |
| آر ڈی ایس آن - ڈرین سورس ریزسٹنس: | 200 mOhms |
| Vgs - گیٹ سورس وولٹیج: | - 14 وی، + 14 وی |
| Vgs th - گیٹ سورس تھریشولڈ وولٹیج: | 1.3 وی |
| Qg - گیٹ چارج: | - |
| کم از کم آپریٹنگ درجہ حرارت: | - 40 سی |
| زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت: | + 150 C |
| Pd - بجلی کی کھپت: | 1.7 ڈبلیو |
| چینل موڈ: | اضافہ |
| اہلیت: | AEC-Q101 |
| پیکجنگ: | ریل |
| پیکجنگ: | ٹیپ کاٹ دیں۔ |
| پیکجنگ: | ماؤس ریل |
| برانڈ: | اونسیمی |
| ترتیب: | سنگل |
| گرنے کا وقت: | 50 ہم |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| طلوع وقت: | 120 ہم |
| سلسلہ: | NCV8402A |
| فیکٹری پیک مقدار: | 1000 |
| ذیلی زمرہ: | MOSFETs |
| ٹرانزسٹر کی قسم: | 2 این چینل |
| عام ٹرن آف تاخیر کا وقت: | 20 ہم |
| عام ٹرن آن تاخیر کا وقت: | 25 ہم |
| یونٹ وزن: | 0.008818 اوز |
♠ درجہ حرارت اور موجودہ حد NCV8402, NCV8402A کے ساتھ خود سے محفوظ لو سائیڈ ڈرائیور
NCV8402/A تین ٹرمینل پروٹیکٹڈ Low−Side Smart Discrete ڈیوائس ہے۔ تحفظ کی خصوصیات میں اوور کرنٹ، اوور ٹمپریچر، ESD اور اوور وولٹیج کے تحفظ کے لیے مربوط ڈرین ٹو گیٹ کلیمپنگ شامل ہیں۔ یہ آلہ تحفظ فراہم کرتا ہے اور سخت آٹوموٹو ماحول کے لیے موزوں ہے۔
• شارٹ سرکٹ پروٹیکشن
• خودکار دوبارہ شروع کے ساتھ تھرمل شٹ ڈاؤن
• اوور وولٹیج پروٹیکشن
• انڈکٹیو سوئچنگ کے لیے انٹیگریٹڈ کلیمپ
• ESD تحفظ
• NCV8402AMNWT1G − گیلا ایبل فلانکس پروڈکٹ
• dV/dt مضبوطی
• اینالاگ ڈرائیو کی اہلیت (منطق کی سطح کا ان پٹ)
• آٹوموٹو اور دیگر ایپلی کیشنز کے لیے NCV کا سابقہ جو منفرد سائٹ اور کنٹرول کی تبدیلی کے تقاضوں کی ضرورت ہوتی ہے۔ AEC−Q101 اہل اور PPAP قابل
• یہ آلات Pb−فری ہیں اور RoHS کے مطابق ہیں۔
• مختلف قسم کے مزاحمتی، انڈکٹیو اور Capacitive بوجھ کو تبدیل کریں۔
الیکٹرو مکینیکل ریلے اور ڈسکریٹ سرکٹس کو بدل سکتے ہیں۔
• آٹوموٹو / صنعتی
