VNB35N07TR-E پاور سوئچ ICs - پاور ڈسٹری بیوشن OMNIFETII مکمل طور پر آٹو پروٹیکٹ Pwr MOSFET
♠ مصنوعات کی تفصیل
| مصنوعات کی خصوصیت | انتساب کی قدر |
| مینوفیکچرر: | ایس ٹی مائیکرو الیکٹرانکس |
| مصنوعات کی قسم: | پاور سوئچ ICs - پاور ڈسٹری بیوشن |
| قسم: | نچلی طرف |
| آؤٹ پٹ کی تعداد: | 1 آؤٹ پٹ |
| موجودہ حد: | 35 اے |
| مزاحمت پر - زیادہ سے زیادہ: | 28 mOhms |
| وقت پر - زیادہ سے زیادہ: | 200 این ایس |
| آف ٹائم - زیادہ سے زیادہ: | 1 ہم |
| آپریٹنگ سپلائی وولٹیج: | 28 وی |
| کم از کم آپریٹنگ درجہ حرارت: | - 40 سی |
| زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت: | + 150 C |
| بڑھتے ہوئے انداز: | SMD/SMT |
| پیکیج / کیس: | D2PAK-3 |
| سلسلہ: | VNB35N07-E |
| اہلیت: | AEC-Q100 |
| پیکجنگ: | ریل |
| پیکجنگ: | ٹیپ کاٹ دیں۔ |
| پیکجنگ: | ماؤس ریل |
| برانڈ: | ایس ٹی مائیکرو الیکٹرانکس |
| نمی حساس: | جی ہاں |
| Pd - بجلی کی کھپت: | 125000 میگاواٹ |
| مصنوعات کی قسم: | پاور سوئچ ICs - پاور ڈسٹری بیوشن |
| فیکٹری پیک مقدار: | 1000 |
| ذیلی زمرہ: | آئی سی کو سوئچ کریں۔ |
| یونٹ وزن: | 0.079014 اونس |
♠ اومنیفیٹ: مکمل طور پر خودکار پاور MOSFET
VNP35N07-E, VNB35N07-E اور VNV35N07-E یک سنگی آلات ہیں جو STMicroelectronics VIPower® ٹیکنالوجی کا استعمال کرتے ہوئے بنائے گئے ہیں، جن کا مقصد DC میں معیاری پاور MOSFETs کو 50 KHz ایپلی کیشنز میں تبدیل کرنا ہے۔
بلٹ ان تھرمل شٹ ڈاؤن، لکیری کرنٹ کی حد اور اوور وولٹیج کلیمپ سخت ماحول میں چپ کی حفاظت کرتے ہیں۔
ان پٹ پن پر وولٹیج کی نگرانی کرکے غلطی کے تاثرات کا پتہ لگایا جاسکتا ہے۔
• آٹوموٹو کوالیفائیڈ
• لکیری موجودہ حد
• تھرمل بند
• شارٹ سرکٹ تحفظ
• انٹیگریٹڈ کلیمپ
• ان پٹ پن سے کم کرنٹ
• ان پٹ پن کے ذریعے تشخیصی تاثرات
• ESD تحفظ
• پاور MOSFET کے گیٹ تک براہ راست رسائی (اینالاگ ڈرائیونگ)
معیاری پاور MOSFET کے ساتھ ہم آہنگ
معیاری TO-220 پیکیج
• 2002/95/EC یورپی ہدایت کے مطابق
