BSS123LT1G MOSFET 100V 170mA N-Channel
♠ مصنوعات کی تفصیل
| مصنوعات کی خصوصیت | انتساب کی قدر |
| مینوفیکچرر: | اونسیمی |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| RoHS: | تفصیلات |
| ٹیکنالوجی: | Si |
| بڑھتے ہوئے انداز: | SMD/SMT |
| پیکیج / کیس: | SOT-23-3 |
| ٹرانسسٹر پولرٹی: | این چینل |
| چینلز کی تعداد: | 1 چینل |
| Vds - ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج: | 100 وی |
| ID - مسلسل ڈرین کرنٹ: | 170 ایم اے |
| آر ڈی ایس آن - ڈرین سورس ریزسٹنس: | 6 اوہم |
| Vgs - گیٹ سورس وولٹیج: | - 20 وی، + 20 وی |
| Vgs th - گیٹ سورس تھریشولڈ وولٹیج: | 1.6 وی |
| Qg - گیٹ چارج: | - |
| کم از کم آپریٹنگ درجہ حرارت: | - 55 سی |
| زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت: | + 150 C |
| Pd - بجلی کی کھپت: | 225 میگاواٹ |
| چینل موڈ: | اضافہ |
| پیکیجنگ: | ریل |
| پیکیجنگ: | ٹیپ کاٹ دیں۔ |
| پیکیجنگ: | ماؤس ریل |
| برانڈ: | اونسیمی |
| ترتیب: | سنگل |
| فارورڈ ٹرانس کنڈکٹنس - کم سے کم: | 80 ایم ایس |
| اونچائی: | 0.94 ملی میٹر |
| لمبائی: | 2.9 ملی میٹر |
| پروڈکٹ: | MOSFET چھوٹا سگنل |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| سلسلہ: | بی ایس ایس 123 ایل |
| فیکٹری پیک مقدار: | 3000 |
| ذیلی زمرہ: | MOSFETs |
| ٹرانزسٹر کی قسم: | 1 این چینل |
| قسم: | MOSFET |
| عام ٹرن آف تاخیر کا وقت: | 40 این ایس |
| عام ٹرن آن تاخیر کا وقت: | 20 این ایس |
| چوڑائی: | 1.3 ملی میٹر |
| یونٹ کا وزن: | 0.000282 آانس |
• آٹوموٹو اور دیگر ایپلی کیشنز کے لیے BVSS سابقہ جو منفرد سائٹ اور کنٹرول کی تبدیلی کے تقاضوں کی ضرورت ہوتی ہے۔AEC−Q101 اہل اور PPAP قابل
• یہ آلات Pb−فری ہیں اور RoHS کے مطابق ہیں۔
