FDMC6679AZ MOSFET -30V P-چینل پاور ٹرینچ
♠ مصنوعات کی تفصیل
| مصنوعات کی خصوصیت | انتساب کی قدر |
| مینوفیکچرر: | اونسیمی |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| RoHS: | تفصیلات |
| ٹیکنالوجی: | Si |
| بڑھتے ہوئے انداز: | SMD/SMT |
| پیکیج / کیس: | پاور-33-8 |
| ٹرانسسٹر پولرٹی: | پی چینل |
| چینلز کی تعداد: | 1 چینل |
| Vds - ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج: | 30 وی |
| ID - مسلسل ڈرین کرنٹ: | 20 اے |
| آر ڈی ایس آن - ڈرین سورس ریزسٹنس: | 10 mOhms |
| Vgs - گیٹ سورس وولٹیج: | - 25 وی، + 25 وی |
| Vgs th - گیٹ سورس تھریشولڈ وولٹیج: | 1.8 وی |
| Qg - گیٹ چارج: | 37 nC |
| کم از کم آپریٹنگ درجہ حرارت: | - 55 سی |
| زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت: | + 150 C |
| Pd - بجلی کی کھپت: | 41 ڈبلیو |
| چینل موڈ: | اضافہ |
| تجارتی نام: | پاور ٹرینچ |
| پیکیجنگ: | ریل |
| پیکیجنگ: | ٹیپ کاٹ دیں۔ |
| پیکیجنگ: | ماؤس ریل |
| برانڈ: | onsemi / Fairchild |
| ترتیب: | سنگل |
| فارورڈ ٹرانس کنڈکٹنس - کم سے کم: | 46 ایس |
| اونچائی: | 0.8 ملی میٹر |
| لمبائی: | 3.3 ملی میٹر |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| سلسلہ: | FDMC6679AZ |
| فیکٹری پیک مقدار: | 3000 |
| ذیلی زمرہ: | MOSFETs |
| ٹرانزسٹر کی قسم: | 1 پی چینل |
| چوڑائی: | 3.3 ملی میٹر |
| یونٹ کا وزن: | 0.005832 آانس |
♠ FDMC6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 10 mΩ
FDMC6679AZ کو لوڈ سوئچ ایپلی کیشنز میں ہونے والے نقصانات کو کم کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔سب سے کم rDS(آن) اور ESD تحفظ پیش کرنے کے لیے سلیکون اور پیکیج دونوں ٹیکنالوجیز میں پیشرفت کو یکجا کیا گیا ہے۔
• زیادہ سے زیادہ rDS(آن) = 10 mΩ at VGS = -10 V، ID = -11.5 A
• زیادہ سے زیادہ rDS(آن) = 18 mΩ at VGS = -4.5 V، ID = -8.5 A
• HBM ESD تحفظ کی سطح 8 kV عام (نوٹ 3)
بیٹری ایپلی کیشنز کے لیے توسیعی VGSS رینج (-25 V)
• انتہائی کم rDS (آن) کے لیے اعلی کارکردگی والی ٹرینچ ٹیکنالوجی
• اعلی طاقت اور موجودہ ہینڈلنگ کی صلاحیت
• ٹرمینیشن لیڈ فری اور RoHS کے مطابق ہے۔
• نوٹ بک اور سرور میں سوئچ لوڈ کریں۔
• نوٹ بک بیٹری پیک پاور مینجمنٹ
