NTMFS4C029NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ مصنوعات کی تفصیل
| مصنوعات کی خصوصیت | انتساب کی قدر |
| مینوفیکچرر: | اونسیمی |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| RoHS: | تفصیلات |
| ٹیکنالوجی: | Si |
| بڑھتے ہوئے انداز: | SMD/SMT |
| پیکیج / کیس: | SO-8FL-4 |
| ٹرانسسٹر پولرٹی: | این چینل |
| چینلز کی تعداد: | 1 چینل |
| Vds - ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج: | 30 وی |
| ID - مسلسل ڈرین کرنٹ: | 46 اے |
| آر ڈی ایس آن - ڈرین سورس ریزسٹنس: | 4.9 mOhms |
| Vgs - گیٹ سورس وولٹیج: | - 20 وی، + 20 وی |
| Vgs th - گیٹ سورس تھریشولڈ وولٹیج: | 2.2 وی |
| Qg - گیٹ چارج: | 18.6 nC |
| کم از کم آپریٹنگ درجہ حرارت: | - 55 سی |
| زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت: | + 150 C |
| Pd - بجلی کی کھپت: | 23.6 ڈبلیو |
| چینل موڈ: | اضافہ |
| پیکیجنگ: | ریل |
| پیکیجنگ: | ٹیپ کاٹ دیں۔ |
| پیکیجنگ: | ماؤس ریل |
| برانڈ: | اونسیمی |
| ترتیب: | سنگل |
| گرنے کا وقت: | 7 این ایس |
| فارورڈ ٹرانس کنڈکٹنس - کم سے کم: | 43 ایس |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| طلوع وقت: | 34 این ایس |
| سلسلہ: | NTMFS4C029N |
| فیکٹری پیک مقدار: | 1500 |
| ذیلی زمرہ: | MOSFETs |
| ٹرانزسٹر کی قسم: | 1 این چینل |
| عام ٹرن آف تاخیر کا وقت: | 14 این ایس |
| عام ٹرن آن تاخیر کا وقت: | 9 این ایس |
| یونٹ کا وزن: | 0.026455 اونس |
کنڈکشن کے نقصانات کو کم کرنے کے لیے کم RDS(آن)
• ڈرائیور کے نقصانات کو کم کرنے کے لیے کم گنجائش
• سوئچنگ کے نقصانات کو کم کرنے کے لیے آپٹمائزڈ گیٹ چارج
• یہ آلات Pb−Free، Halogen Free/BFR فری اور RoHS کے مطابق ہیں۔
• CPU پاور ڈیلیوری
• DC−DC کنورٹرز
