AUIRFN8459TR MOSFET 40V Dual N چینل HEXFET
♠ مصنوعات کی تفصیل
| مصنوعات کی خصوصیت | انتساب کی قدر |
| مینوفیکچرر: | انفینون |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| RoHS: | تفصیلات |
| ٹیکنالوجی: | Si |
| بڑھتے ہوئے انداز: | SMD/SMT |
| پیکیج / کیس: | PQFN-8 |
| ٹرانسسٹر پولرٹی: | این چینل |
| چینلز کی تعداد: | 2 چینل |
| Vds - ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج: | 40 وی |
| ID - مسلسل ڈرین کرنٹ: | 70 اے |
| آر ڈی ایس آن - ڈرین سورس ریزسٹنس: | 5.9 mOhms |
| Vgs - گیٹ سورس وولٹیج: | - 20 وی، + 20 وی |
| Vgs th - گیٹ سورس تھریشولڈ وولٹیج: | 3 وی |
| Qg - گیٹ چارج: | 40 nC |
| کم از کم آپریٹنگ درجہ حرارت: | - 55 سی |
| زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت: | + 175 سی |
| Pd - بجلی کی کھپت: | 50 ڈبلیو |
| چینل موڈ: | اضافہ |
| اہلیت: | AEC-Q101 |
| پیکیجنگ: | ریل |
| پیکیجنگ: | ٹیپ کاٹ دیں۔ |
| پیکیجنگ: | ماؤس ریل |
| برانڈ: | انفینون ٹیکنالوجیز |
| ترتیب: | دوہری |
| گرنے کا وقت: | 42 این ایس |
| فارورڈ ٹرانس کنڈکٹنس - کم سے کم: | 66 ایس |
| اونچائی: | 1.2 ملی میٹر |
| لمبائی: | 6 ملی میٹر |
| مصنوعات کی قسم: | MOSFET |
| طلوع وقت: | 55 این ایس |
| فیکٹری پیک مقدار: | 4000 |
| ذیلی زمرہ: | MOSFETs |
| ٹرانزسٹر کی قسم: | 2 این چینل |
| عام ٹرن آف تاخیر کا وقت: | 25 این ایس |
| عام ٹرن آن تاخیر کا وقت: | 10 این ایس |
| چوڑائی: | 5 ملی میٹر |
| حصہ # عرفی نام: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| یونٹ کا وزن: | 0.004308 اوز |
♠ MOSFET 40V Dual N چینل HEXFET
خاص طور پر آٹوموٹیو ایپلی کیشنز کے لیے ڈیزائن کیا گیا، یہ HEXFET® Power MOSFET جدید ترین پروسیسنگ تکنیکوں کا استعمال کرتا ہے تاکہ فی سلکان ایریا میں انتہائی کم مزاحمت حاصل کی جا سکے۔اس ڈیزائن کی اضافی خصوصیات 175°C جنکشن آپریٹنگ درجہ حرارت، تیز رفتار سوئچنگ اور بار بار برفانی تودے کی بہتر درجہ بندی ہیں۔یہ خصوصیات مل کر اس پروڈکٹ کو آٹوموٹیو اور دیگر ایپلی کیشنز کی وسیع اقسام میں استعمال کے لیے ایک انتہائی موثر اور قابل اعتماد ڈیوائس بناتی ہیں۔
اعلی درجے کی عمل ٹیکنالوجی
ڈوئل این چینل MOSFET
انتہائی کم آن مزاحمت
175 ° C آپریٹنگ درجہ حرارت
فاسٹ سوئچنگ
بار بار برفانی تودے کی اجازت Tjmax تک
لیڈ فری، RoHS کے مطابق
آٹوموٹو کوالیفائیڈ *
12V آٹوموٹیو سسٹمز
برشڈ ڈی سی موٹر
بریک لگانا
ٹرانسمیشن
